德國 ScIDre新一代高壓激光浮區(qū)爐（LKZ）重磅發(fā)布，解鎖3000℃單晶生成！

近期，深耕“高壓"和“高溫"晶體生長技術(shù)的融合領(lǐng)域十余年的德國Scientific Instruments Dresden GmbH（以下簡稱：ScIDre）公司，正式推出新一代高壓激光浮區(qū)爐系統(tǒng)（LKZ）。該設(shè)備凝聚了ScIDre制造商多年的研發(fā)經(jīng)驗與成熟的應(yīng)用技術(shù)，憑借超卓的性能參數(shù)與前沿的技術(shù)，將為我國廣大科研工作者在超導、磁性、熱電、鐵電、半導體、光學及量子材料等關(guān)鍵領(lǐng)域的單晶生長研究提供強有力的技術(shù)支撐！

新一代高壓激光浮區(qū)爐系統(tǒng)（LKZ）

作為 ScIDre 在高壓高溫晶體生長設(shè)備領(lǐng)域的革新性成果，LKZ 系列高壓激光浮區(qū)爐在核心性能上實現(xiàn)了多重突破，其技術(shù)優(yōu)勢尤為突出：

• 高壓環(huán)境精準可控，適配多元材料需求

設(shè)備樣品腔壓力覆蓋 50 bar~300 bar，提供多種壓力規(guī)格供用戶按需選擇，可精準模擬不同壓力條件下的晶體生長環(huán)境，滿足超導、量子材料等對生長壓力要求嚴苛的前沿研究需求。同時搭配高精度氣體控制系統(tǒng)，Max氣體流量可達 1 L/min，支持 Ar、O?等常規(guī)氣氛及定制化氣氛配置，有效保障晶體生長過程中的氣氛穩(wěn)定性，為材料性能優(yōu)化提供可靠保障。

• 高溫加熱效能優(yōu)異，多種溫度梯度改善方案可供選擇

憑借 5 束激光加熱設(shè)計，單束激光功率高達 300 W，可實現(xiàn) 3000°C 的極限高溫（具體溫度取決于材料特性及工藝參數(shù)），能夠適配各類高熔點材料的單晶生長。創(chuàng)新搭載溫度梯度改進方案，提供電阻加熱、激光加熱、感應(yīng)加熱等多種后熱模式，可根據(jù)不同材料的生長動力學特性靈活改善溫度梯度，顯著提升單晶生長的質(zhì)量與成功率。

• 運動控制精準高效，操作適配性廣泛

設(shè)備在提拉速度、位移長度及旋轉(zhuǎn)速度方面表現(xiàn)優(yōu)異：提拉速度可達 200 mm/h，滿足不同生長速率的實驗需求；位移長度最長可達為 100 mm，可選配 150 mm，拓展了樣品生長的長度范圍；旋轉(zhuǎn)速度達 50 rpm，可通過精準的旋轉(zhuǎn)控制優(yōu)化熔體對流狀態(tài)，減少晶體生長過程中的缺陷。同時，設(shè)備采用 2700×1600×850 mm（H×W×D）的緊湊尺寸設(shè)計，在保障高性能的同時，提升了實驗室空間的利用率。

技術(shù)性能：

國際用戶：

自技術(shù)研發(fā)以來，ScIDre 的高壓激光浮區(qū)爐技術(shù)已獲得國際科研界的廣泛認可，目前該設(shè)備已成功服務(wù)于明尼蘇達大學（University of Minnesota）、倫敦大學學院（University College London）等科研機構(gòu)，其穩(wěn)定的性能與專業(yè)的技術(shù)支持贏得了用戶的高度贊譽。

University of Minnesota	University College London

此次新一代高壓激光浮區(qū)爐（LKZ）的正式發(fā)布，不僅是 ScIDre 在高壓高溫晶體生長技術(shù)領(lǐng)域的又一里程碑，更將為我國科研工作者開展前沿材料研究提供與國際同步的設(shè)備支撐，助力相關(guān)領(lǐng)域的科研創(chuàng)新與技術(shù)突破，為新材料產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入強勁動力。