從技術路徑上看,電子束光刻和大家熟悉的EUV光刻并不是同一類問題的解法。電子束光刻本質上是一種直接寫入技術,利用聚焦電子束在抗蝕劑上逐點曝光,通過電磁控制精確描繪圖形。這種方式不依賴掩模,在設計頻繁迭代的研發階段非常有優勢,尤其適合量子器件、新型材料結構、原型芯片以及掩模制作等場景。
EUV光刻則是典型的投影式光刻,通過極紫外光和復雜光學系統將掩模圖形一次性轉移到晶圓上,其核心價值在于產能和一致性,是先進邏輯和存儲芯片量產重要的手段。兩者服務的并不是同一個需求層級,因此不存在簡單的“替代關系”。

之所以電子束光刻長期存在于科研和小規模應用領域,原因并不在于分辨率,而在于效率。電子束直寫屬于串行曝光,即使單點精度很高,整體吞吐能力仍然受限,這在晶圓級量產中是難以接受的。但在研發階段,這一“慢”的特性反而換來了極高的靈活性。對于需要反復修改版圖、驗證物理模型或探索新器件結構的研究團隊來說,省去掩模制作流程往往比提高曝光速度更重要。這也是為什么在全球范圍內,電子束光刻始終是先進工藝研發體系中重要的一環。
如果從行業生態的角度來看,國產電子束光刻設備的意義更多體現在“補齊研發工具鏈”而非“沖擊量產格局”。一臺可穩定運行、可持續維護、軟件和校正能力成熟的電子束系統,能夠顯著降低高校和研究機構在早期器件探索階段對進口設備的依賴,也有助于培養本土在電子光學、運動控制、圖形處理等方向的工程經驗。這類積累往往是長期的、漸進的,很難通過一次發布就下結論。

以澤攸科技為例,其在電子束相關設備上的定位本身就偏向科研與前沿應用場景,強調系統穩定性、樣品臺精度、電子光學控制以及與實際實驗流程的適配。這類產品并不是為了追求極端參數,而是服務于“能不能長期用、好不好用、適不適合科研人員反復試驗”這樣的現實問題。從這個角度看,無論是“羲之”還是其他國產電子束設備,真正值得關注的并不是發布當天的指標描述,而是后續是否進入真實用戶環境、是否經得起長時間運行和多課題組使用的檢驗。




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