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        北京華沛智同科技發展有限公司
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        Logitech優秀用戶-鄭婉華院士,半導體光電子領域的璀璨之星2025/9/10
        我國人工微結構材料與光電子領域的杰出專家鄭婉華,1966年2月出生于吉林,在中國科學院半導體研究所擔任研究員與博士生導師,2021年當選中國科學院院士。鄭婉華院士長期致力于半導體光電子材料與器件的研究...
        使用Logitech研磨拋光設備提升砷化鎵(GaAs)晶圓生產效率和質量2025/8/22
        砷化鎵(GaAs)晶圓屬于軟脆材料,行業對其研磨拋光后的參數指標普遍要求是:平整度控制在±2um以內,TTV(總厚度變化)控制在每25mm區域1um以內。在滿足參數指標的前提下,提升生產...
        DEMO大連實驗室正式成立2019/9/29
        DEMO大連實驗室正式成立,現配有LP70精密研磨拋光設備、PM6精密研磨拋光設備、WBS粘片機等,可承接樣品粘片研磨拋光實驗、用戶理論及操作培訓、研磨盤修整、夾具修復及維護等多種業務。歡迎廣大新老用...
        光電領域晶圓的研磨拋光2018/9/3
        Logitech公司擁有超過50年的高精密設備設計和制造經驗。Logitech精密研磨拋光系統在晶圓表面處理、晶圓減?。ū硿p)和形狀控制方面提供大量的技術解決方案,尤其在光電材料加工方面備受推崇。選擇...
        晶圓背減薄地質領域應用2018/8/2
        通常,標準的晶圓薄片生產可以分為以下步驟:1、現場規范的刨削和修整;2、對多孔或易碎的材料進行浸漬軟化處理(可選);3、初步研磨切割材料;4、制備均勻厚度的載玻片;5、將樣本粘合到制備的載玻片上;6、...
        晶圓拋光百科2018/7/12
        Logitech公司50多年來一直專注于高精密設備的設計和制造,具有豐富的復雜材料加工處理經驗。Logitech精密研磨拋光系統在半導體晶圓表面處理、晶圓減?。ū硿p)和形狀控制方面提供大量的技術解決方...
        磷化銦晶圓的研磨拋光2018/6/19
        磷化銦(InP)是由銦(In)和磷(P)組成的二元半導體,屬于一組通常稱為III-V半導體的材料。與硅和砷化鎵等更常見的半導體相比,磷化銦具有*的電子速度,常用于制造高功率和高頻率電子器件。磷化銦晶圓...
        藍寶石晶圓的研磨拋光2018/6/6
        藍寶石晶圓研磨拋光技術在現代半導體和光電子行業中扮演著重要的角色。藍寶石晶圓作為一種優質的襯底材料,廣泛應用于LED、激光器、光電傳感器等高科技領域。而藍寶石晶圓的研磨拋光工藝則是制備高質量藍寶石襯底...
        砷化鎵晶圓的研磨拋光2018/5/30
        砷化鎵(galliumarsenide),化學式GaAs。黑灰色固體,熔點1238℃。它在600℃以下,能在空氣中穩定存在,并且不被非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵是一種重要的半導體材料,屬Ⅲ-Ⅴ族化合物半導...
        EMA新品介紹-預填充反應管-還原管2018/4/23
        SerConANCASL/GSL/Integra同位素質譜儀預填充反應管-還原管使用我們預填充管可以為您節省時間和金錢:1、直接更換,減少儀器停機時間2、無需測量或處理化學試劑,避免遺撒浪費,避免直接...
        PM6 專攻高標準4” InP 晶圓2018/2/26
        PM6型精密研磨拋光系統是英國Logitech公司推向市場,應用于眾多半導體領域的自動型研磨拋光系統。PM6投入市場后被很多專業用戶普遍應用,受到廣泛贊譽,其中不乏從事有線電視寬帶(CATV)、光纖到...
        見證客戶成功2017/12/14
        Logitech一直與世界*大學合作,始終致力于在不同的應用領域提供高精度的系統解決方案。我們需要的是高質量的、強健的系統,這些系統能夠提供*的結果,并使zui大化。了解我們的客戶的研究和發現:下載我...
        喜聞山東大學陳秀芳榮獲“第三代半導體青年”2017/9/21
        “第三代半導體青年”評選活動,是為了營造青年人才成長的環境,提升*三代半導體產業技術創新能力,在第三代半導體產業技術創新戰略聯盟青年創新促進委員會在科技部人才中心的指導下成功舉辦。首屆啟動“第三代半導...
        金剛石,工程師的朋友2016/10/28
        金剛石是一種純碳物質,也是鉆石的原石。近年來,隨著開發技術難題的攻克,具有晶瑩質感的鉆石不僅僅是女孩們的zui愛,也成為工程師的朋友。由于金剛石的性能,金剛石納米薄膜已經在MEMS、表面聲波(SAW)...
        晶體Si片切割表面損傷及其對電學性能的影響2016/8/9
        摘要:對比觀察了不同工藝條件下金剛石線鋸和砂漿線鋸切割晶體Si片的表面微觀形貌;分析了其切割機理及去除模式;對比分析了三種不同化學方法鈍化Si片的效果和穩定性;采用逐層腐蝕去除Si片的損傷層,使用碘酒...

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