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激光掃描缺陷成像儀是激光束感應電流（LBIC）測試的升級版本。它利用波長能量大于半導體帶隙的激光束照射半導體，產生電子空穴對。通過快速掃描樣品表面，獲得揭示內部電流變化的圖像分布，從而分析各種缺陷分布。這有助于分析樣品制備的質量并有助于工藝改進。

詳細介紹

產品介紹

4 分鐘內掌握全貌，以 50 微米分辨率掃描 100 毫米 x 100 毫米區域

　　激光掃描缺陷成像儀是激光束感應電流（LBIC）測試的升級版本。它利用波長能量大于半導體能隙的激光光束照射半導體，產生電子-電洞對。透過快速掃描樣品表面，獲得揭示內部電流變化的影像分布，以分析各種缺陷分布。這有助于分析樣品制備的質量，并有助于制程改進。

特征

●掃描光生電流的分布

●掃描光電壓分布

●掃描開路電壓和短路電流的分布

●分析表面污染

●分析短路區域的分布

●識別和分析微裂紋區域

●分析少數載子擴散長度的分布（選用功能）

應用

雷射掃描缺陷圖譜儀

硅太陽能電池光電流分布（405 納米）

雷射掃描缺陷圖譜儀

6 英寸硅晶太陽能電池掃描（17 秒）

雷射掃描缺陷圖譜儀

鈣鈦礦太陽能電池

雷射掃描缺陷圖譜儀

LSD4-OPV光響應電流分布圖

雷射掃描缺陷圖譜儀

LSD4-OPV光響應電流分布圖

分辨率為 50 µm 的非均勻性分析

母線/柵極縱橫比檢測（橫截面分析）

高重復性（6次重復）

規格

項目	參數說明。
功能	A。利用能量高于半導體帶隙的波長激光束在半導體中產生電子空穴對，探索耗盡區對內部電流變化的影響，了解和分析各種缺陷分布，作為工藝改進的方向。 b.能夠掃描樣品表面光生電流的分布。 C。能夠掃描樣品表面光電壓的分布。 d.能夠掃描開路電壓和短路電流的分布。 e.能夠分析表面污染。 F。能夠分析短路區域的分布。 G。能夠識別和分析微裂紋區域。 H。能夠分析少數載流子擴散長度的分布（可選）。
激勵源	405 ±10nm 激光 520 ±10nm 激光 635 ±10nm 激光 830 ±10nm 激光
掃描區域	≧100mm×100mm
激光光斑尺寸	接近TEM00模式點
測繪分辨率	A。掃描分辨率 ≤ 50 µm b.掃描分辨率可通過軟件設置
測繪時間	<4分鐘（100mm×100mm，分辨率50um）
方面	60厘米60厘米100厘米
軟件	A。 LBIC 3D 可視化 b． 2D 橫截面分析（電極縱橫比） c．光電流響應分布分析（與長波長激光源結合） d．數據保存和導出功能

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雷射掃描缺陷圖譜儀

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